IKB30N65ES5ATMA1

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Description: IGBT 650V 35A 1.35V TO263-3 Produttore: INFINEON Matchcode: IKB30N65ES5 Rutronik No.: IGBT2476 VPE: 1000 MOQ: 1000 dimensioni: TO263-3 confezione: REEL

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Parametri

V(CE): 650 V
I(C): 62 A
V(CEsat): 1,35 V
Package: TO263-3
Bodydiode: YES
P(tot): 188 W
Automotive: NO
t(r): 12 nS
td(off): 124 nS
td(on): 17 nS
Mounting: SMD
RoHS Status: RoHS-conform
Technology: TRENCHST.5
Tipo di confezione: REEL

Articolo produttore: SP001502572
: EAR99
Numero di tariffa doganale: 85412900000
Stato: Malaysia
Codice- ABC: B
Tempo di consegna standard: 21 Settimane

Descrizione

Description:

Summary of Features

Very low VCEsat of 1.35 V at 25 °C, 20 % lower than TRENCHSTOP™ 5 H5
ICn=four times nominal current (100 °C Tc)
Soft current fall characteristics with no tail current
Symmetrical, low voltage overshoot
Gate voltage under control (no oscillation). No risk of unwanted turn-on of device and no need for gate clamping
Maximum junction temperature Tvj=175 °C
Qualified according to JEDEC standards

Benefits

VCE(peak) clamping circuits not required
Suitable for use with single turn-on / turn-off gate resistor
No need for gate clamping components
Gate drivers with Miller clamping not required
Reduction in the EMI filtering needed
Excellent for paralleling

Target Applications

solar
|delimiter|

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