IPB180N04S4H0ATMA1
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Description:
MOSFET 40V 1.1mOHM AECQ TO263
Produttore:
INFINEON
Matchcode:
IPB180N04S4-H0
Rutronik No.:
TMOSP10306
VPE:
1000
MOQ:
1000
dimensioni:
TO-263-7
confezione:
REEL
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Campionature
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- Configuration
- N-CH
- V(DS)
- 40 V
- I(D)at Tc=25°C
- 180 A
- RDS(on)at 10V
- 1.1 mOhm
- Q(g)
- 225 nC
- P(tot)
- 250 W
- R(thJC)
- 0.5 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOS
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- AEC-Q(101)
- Package
- TO-263-7
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Tipo di confezione
- REEL
- Articolo produttore
- SP000711248
- EAR99
- Numero di tariffa doganale
- 85412900000
- Stato
- Malaysia
- Codice- ABC
- A
- Tempo di consegna standard
- 14 Settimane
Summary of Features
- N-channel - Enhancement mode AEC qualifie MSL1 up to 260°C peak reflow 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested
Benefits
- world's lowest RDS at 40V (on)
- highest current capability
- lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
- robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Target Applications
- OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control.
- Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.
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