IKW40N120T2FKSA1
l'immagine mostrata è solamente rappresentativa
Description:
IGBT 1200V 75A 2.2V TO247-3
Produttore:
INFINEON
Matchcode:
IKW40N120T2
Rutronik No.:
TMOSP8409
VPE:
30
MOQ:
30
dimensioni:
TO247-3
confezione:
TUBE
Trova alternative
datasheet/scheda tecnica
aggiungi al progetto
Campionature
Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool
- V(CE)
- 1200 V
- I(C)
- 75 A
- V(CEsat)
- 2.2 V
- Package
- TO247-3
- Bodydiode
- YES
- P(tot)
- 480 W
- Automotive
- NO
- t(r)
- 28 nS
- td(off)
- 314 nS
- td(on)
- 33 nS
- Mounting
- THT
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Technology
- TrenchStop
- Tipo di confezione
- TUBE
- Articolo produttore
- SP000244962
- EAR99
- Numero di tariffa doganale
- 85412900000
- Stato
- China
- Codice- ABC
- A
- Tempo di consegna standard
- 21 Settimane
Infineon's TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trenchstop-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery Emitter Controled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Summary of Features
- Lowest V CEsat drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
- High ruggedness, temperature stable behavior
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
Benefits
- Highest efficiency – low conduction and switching losses
- Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
- High device reliability
Gli articoli presenti nel carrello possono essere ordinati o , se si desiderate aspettare, potete inviarci una richiesta di offerta non vincolante, per gli articoli selezionati
l’e-commerce R24 è dedicato solo ai clienti e non a utenti privati.