IKD08N65ET6ARMA1

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Description: IGBT 650V 8A DPAK TO-252-3 Produttore: INFINEON Matchcode: IKD08N65ET6 Rutronik No.: IGBT2931 VPE: 3000 MOQ: 3000 dimensioni: TO252-3 confezione: REEL

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Parametri

V(CE): 650 V
I(C): 8 A
V(CEsat): 1.5 V
Package: TO252-3
Bodydiode: YES
P(tot): 47 W
Automotive: NO
t(r): 12 nS
td(off): 59 nS
td(on): 20 nS
Mounting: SMD
RoHS Status: RoHS-conform
Technology: TRENCHST.6
Tipo di confezione: REEL

Articolo produttore: SP004275470
: EAR99
Numero di tariffa doganale: 85412900000
Stato: China
Codice- ABC: C
Tempo di consegna standard: 100 Settimane

Descrizione

650 V, 8 A IGBT with anti-parallel diode in TO-252-3 package

Hard-switching 650 V, 8 A TRENCHSTOP™ IGBT6 discrete in TO-252-3 package. This price optimized range has premium controllability for a best cost efficient solution.

Summary of Features

Very low VCEsat
Maximum junction temperature 175 °C
Short circuit withstand time 3 µ at 400 V Vcc , TC = 150 ℃
Low gate charge QG
Pb-free lead plating; RoHS compliant

Trench and field-stop technology for 650 V applications offers :

very tight parameter distribution
high ruggedness, temperature stable behavior
low VCEsat and positive temperature coefficient

Applications

Motor control and drives

Quantità

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Componente obsoleto

Ultimo ordine acquisto per fornitore: 30.04.2024

Prezzo unitario

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4.140,00 $

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