IKB40N65ES5ATMA1
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Description:
IGBT 650V 79A 1,35V TO263-3
Produttore:
INFINEON
Matchcode:
IKB40N65ES5
Rutronik No.:
IGBT2458
VPE:
1000
MOQ:
1000
dimensioni:
TO263-3
confezione:
REEL
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Campionature
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- V(CE)
- 650 V
- I(C)
- 79 A
- V(CEsat)
- 1.35 V
- Package
- TO263-3
- Bodydiode
- YES
- P(tot)
- 230 W
- Automotive
- NO
- t(r)
- 18 nS
- td(off)
- 130 nS
- td(on)
- 19 nS
- Mounting
- SMD
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Technology
- TRENCHSTOP
- Tipo di confezione
- REEL
- Articolo produttore
- SP001502574
- EAR99
- Numero di tariffa doganale
- 85412900000
- Stato
- Malaysia
- Codice- ABC
- A
- Tempo di consegna standard
- 21 Settimane
Description:
Summary of Features
- Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C, 20% lower than TRENCHSTOP™ 5 H5
- ICn=four times nominal current (100°C Tc)
- Soft current fall characteristics with no tail current
- Symmetrical, low voltage overshoot
- Gate voltage under control (no oscillation). No risk of unwanted turn-on of device and no need for gate clamping
- Maximum junction temperature Tvj = 175°C
- Qualified according to JEDEC standards
Benefits
- VCE(peak) clamping circuits not required
- Suitable for use with single turn-on / turn-off gate resistor
- No need for gate clamping components
- Gate drivers with Miller clamping not required
- Reduction in the EMI filtering needed
- Excellent for paralleling
Target Applications
- battery-charger
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