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BGA7L1N6E6327XTSA1

INFINEON SP001109134

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Description: SiGe Low noise amplifier LTE Produttore: INFINEON Matchcode: BGA7L1N6 E6327 Rutronik No.: THF5266 VPE: 15000 MOQ: 15000 dimensioni: TSNP-6-2 confezione: REEL
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Automotive
NO
Package
TSNP-6-2
RoHS Status
RoHS-conform
Tipo di confezione
REEL
Articolo produttore
SP001109134
EAR99
Numero di tariffa doganale
85423390000
Stato
Malaysia
Tempo di consegna standard
100 Settimane

Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE

Summary of Features:

  • Insertion power gain: 13.3 dB
  • Low noise figure: 0.90 dB
  • Low current consumption: 4.4 mA
  • Operating frequencies: 728 - 960 MHz
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V
  • Digital on/off switch (1V logic high level)
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Only 1 external SMD component necessary
  • 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
  • Pb-free (RoHS compliant) package

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